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IPP100N06S2L05AKSA2 Datasheet技术文件下载

IPP100N06S2L05AKSA2产品参数和技术文档

IPP100N06S2L05AKSA2产品图

IPP100N06S2L05AKSA2产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
500
1.47074
$735.37

IPP100N06S2L05AKSA2产品参数

品牌:
Infineon Technologies
描述:
MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
详细描述:
通孔 N 沟道 55V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
管件
零件状态
在售
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
55V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
100A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
4.7 毫欧 @ 80A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
230nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
5660pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
300W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
PG-TO220-3-1
封装/外壳
TO-220-3
标准包装
500
其它名称
SP001067950
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL)
1(无限)
型号: 厂家: 批号: 封装: 型号完全相同
  •  
  • 型号
  • 供货商
  • 厂家
  • 批号
  • 数量
  • 封装
  • 单价/备注
  • 日期
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  • IPP100N06S2L05AKSA2
  • 深圳市腾迈科技有限公司

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  • TO-220-3 
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  • IPP100N06S2L05AKSA2
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  • Infineon 
  • 2019+ 
  • 6000 
  • TO-220 
  • MOSFET管
     
  • 4-30 
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产品索引: IDT7015L25J IS31BL3508A-STLS2-TR IHSM4825ER471L IDT71V3558SA133BQ8 IDT71V2576YS150PFG8 IDT71V3579S85PFI8 IDT70V9089L15PFI IS42S32200C1-55T-TR IDT71V432S7PFGI8 IS25LP016D-JKLE

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