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IRF3711ZSTRR Datasheet技术文件下载

IRF3711ZSTRR产品参数和技术文档

IRF3711ZSTRR产品图

IRF3711ZSTRR产品参考价格

IRF3711ZSTRR产品参数

品牌:
Infineon Technologies
描述:
MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK
详细描述:
表面贴装 N 沟道 20V 92A(Tc) 79W(Tc) D2PAK
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
带卷(TR)
零件状态
停產
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
92A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
6 毫欧 @ 15A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.45V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
24nC @ 4.5V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
2150pF @ 10V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
79W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
D2PAK
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
标准包装
800
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况
含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL)
1(无限)
型号: 厂家: 批号: 封装: 型号完全相同
  •  
  • 型号
  • 供货商
  • 厂家
  • 批号
  • 数量
  • 封装
  • 单价/备注
  • 日期
  • 询价
  • IRF3711ZSTRR
  • 深圳市腾迈科技有限公司

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  • Infineon Technologies 
  • 13+ 
  • 80000 
  • D2PAK 
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产品索引: IDT7016S35PF IDT2309NZ-1HDC8 ICD2063SC-2 IDT71V3558S100PFGI IRFI720A IMC0603ER68NJ01 ISL6367HCRZ-T ISL23445WFVZ-TK IRFW710A IKN0603000

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