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ULN2003AFWG Datasheet技术文件下载

ULN2003AFWG,O,N,E产品参数和技术文档

ULN2003AFWG产品图

ULN2003AFWG,O,N,E产品参考价格

ULN2003AFWG,O,N,E产品参数

品牌:
Toshiba Semiconductor and Storage
描述:
IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16SOL
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 500mA 1.25W 16-SOL
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
Digi-Key 停产
晶体管类型
7 NPN 达林顿
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
500mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
50V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)
1.6V @ 500µA,350mA
电流 - 集电极截止(最大值)
50µA
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
1000 @ 350mA,2V
功率 - 最大值
1.25W
频率 - 跃迁
-
工作温度
-40°C ~ 85°C(TA)
封装/外壳
16-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装
16-SOL
基本零件编号
ULN200*A
标准包装
1
其它名称
ULN2003AFWG(O,NEHZCT ULN2003AFWG(O,NEHZCT-ND ULN2003AFWG(OELMCT ULN2003AFWG(OELMCT-ND ULN2003AFWG(ONEHZACT ULN2003AFWG(ONEHZACT-ND ULN2003AFWG5ELMCT ULN2003AFWG5ELMCT-ND ULN2003AFWGONECT
型号: 厂家: 批号: 封装: 型号完全相同
  •  
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产品索引: UC3845BN ULN2803AFWG UCC2895DW UC3854BDW UC3842BD1R2G UC3854AN ULN2004ADR UC3845 UC3843BD1013TR UC3845BD1R2G

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